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盖革模式InGaAs 雪崩光电二极管

InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是单光子检测的专用器件,是量子通信设备中单光子检测的核心器件。该产品由我司与CETC研究所联合研制,打破以往该类器件对进口的依赖,且具有先进的设计理念与工艺水平,可满足量子信息领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求。

正常工作时该器件的反向工作电压大于二极管反向击穿电压(即“盖革模式”),此时当单光子入射到APD管的光接收区时,APD管会产生雪崩脉冲电流。通过脉冲检测电路把脉冲电流信号转换为标准数据信号,实现对单光子探测功能。该器件的光谱响应范围是950~1650nm。 

参数描述 测试条件 规格 单位
最小 典型 最大
线性模式参数(室温295K,所有电压和电流采用默认值)
响应度Re Reponsivity λ=1.55um,VR=VBR-2V, φe=1uw,TAL=22±3℃ 8.0     A/W
反向击穿电压VBR Reverse breakdown voltage IR=10uA,TAL=22±3℃ 60   80 V
盖革模式参数
暗计数率DCR Dark Count Rate TAG=-50±3℃ fg=50kHz,Vg=7V,Tg=7ns,Trise/fall=2.5ns,@PDE=15%±5     3E-5 count/gate
单光子探测效率PDE Photon Detect Efficiency TAG=-50±3℃ fg=50kHz,Vg=7V,Tg=7ns,Trise/fall=2.5ns,@DCR最大 15     %
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